跳层，插buffer的解决方法也可以解决# Violation问题 **Antenna Effect概念** 在芯片生产过程中，暴露的金属线或者多晶硅（polysilicon）等导体，就像是一根根天线，会收集电荷（如等离子刻蚀产生的带电粒子）导致电位升高。天线越长，收集的电荷也就越多，电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅，那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效，这种现象我们称之为“天线效应”。  **Antenna Ratio** 通常情况下，我们用“天线比率”（“antenna ratio”）来衡量一颗芯片能发生天线效应的几率。“天线比率”的定义是：构成所谓“天线”的导体（一般是金属）的**面积与所相连的栅氧化层面积的比率**。  随着工艺技术的发展，栅的尺寸越来越小，金属的层数越来越多，发生天线效应的可能性就越大。 那么，我们在数字IC后端实现过程中应该如何来修复这类Violation呢？ Innovus有两种场景需要添加antenna diode。 1）天线效应violation 添加保护二极管，加上反偏二极管